机器莫名其妙出现问题，系统不稳定？开机报错？这些都有可能是内存引起的故障。今天我们就针对内存常见问题推出一系列的解决方案，同时再奉上两套“免费”提升内存性能大法……
内存延迟、频率设置不当导致系统运行不稳定
我们知道内存延迟的数值越小越好，数值越小，内存存取数据反应时间也就越快，很多用户也把这一点当作习惯（如图1）。“CAS Latency”喜欢设置成超过内存标称的数值，这样一来使内存运行在超频状态，就会带来很多不稳定的因素。其实内存延迟设置的功效是有些被夸大了的，尤其是在AMD K7/K8平台上，把内存延迟由2.5调整到2大部分情况下也就提高3％之内的性能而已，而这时内存被超频，增加了很多不稳定的因素，权衡之下其实还是不怎么值得的。为了达到更高的内存带宽性能，内存电压也经常被提高，加压调整的幅度不要太大，还要视主板和内存的体质而定，否则很容易造成损害，内存超频之后要首先使用SuperPI运行高负荷计算来测试一下稳定性。
更换、添加内存条系统无法启动或不能识别
当我们插入新的内存等硬件时，因为要占用系统资源，就可能会与以前的资源分配表产生冲突，系统在工作时就会表现出不稳定或出现错误提示。这时候，我们就需要对BIOS的某些选项进行调整，在CMOS设置中“PNP/PCI Congfigurations”选择中的有“RESET Congiguration Data”（如图2），可以选择“Disable”和“Enable”两项，这就是ESCD设置了。ESCD是“Extended System Configuration Data”的缩写，意思是扩展系统配置数据，实际上就是BIOS保留的以前的设备资源分配表。当我们添加了内存或者是其他硬件时就需要进入CMOS设置把此项设为“Enable”，重新启动电脑，然后在计算机启动后就会完成图3所示的“Updating ESCD... Success”更新过程。要注意，该项设置为“Enable”只是本次启动有效，启动后主板一般会自动变换为“Disable”。
ECC内存自检出错：
ECC是“Error Correction Coding”、“Error Chechingand Correcting”的缩写，也就是带有自动纠错功能的内存。平常我们普通用户使用的内存都是不带纠错功能的，但是有的用户在BIOS里却错误地把校验一项设为Enable，在内存自检时，会检测不过去，提示内存检测错误，有的人会以为内存校验错就是内存有缺陷，其实报告内存校验错只是因为你的内存没有这项功能而已。解决的方法是在BIOS里将该项设置改为Disable就可以了，一般为“Memory Parity Check”项。“DRAM Data Integrity Mode”选项允许你在ECC内存和Non-ECC内存之间进行选择，大多数都要选择后者（如图4）。
在Windows下莫名其妙出现“非法操作”等错误
内存的设置中有“Shadow System BIOS”项，这是“影子”内存功能设置，在机器上电时，自动地将系统BIOS、显示BIOS及其它适配器的BIOS装载到ShadowRAM的指定区域中。Shadow RAM的物理编址与对应的ROM相同，所以当需要访问BIOS时，只需访问Shadow RAM即可，而不必再访问ROM。在系统运行的过程中，读取BIOS中的数据或调用BIOS中的程序模块是相当频繁的，使用了Shadow技术将大大提高系统的工作效率，对大多数机器来说，启动速度和运行速度都会加快。另外还有一项是“System BIOS Cacheable”，当设为Enabled时，在必要时系统会把BIOS中的内容备份到L2缓存中，更加加快BIOS的运行速度，效果比“Shadow System BIOS”还要好。但是有时候也可能因为硬件、驱动等的一些问题造成系统的不稳定，表现在Windows中出现“非法操作”等各种错误（如图5）。这时我们就必须要把它们设成Disable了。
免费提升内存性能5％1T2T设置
内存的延迟是除频率以外最让人关注的一个指标，不过自从K8平台以来，内存又多了一个1T/2T的设置选项，这个数值对K8平台的性能也有不小的影响。下面就来教你通过设置这个数值来免费提高性能5％！
DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，就是这个参数的含义了，它的单位是时钟周期，在CMOS设置中一般被描述为DRAM Command Rate（首指令延迟）。这个参数当然是越短越好，但是如果主板上使用的内存插槽越多的话，就会加强控制芯片组的负载，从而影响系统稳定性，所以在多条内存插槽都使用了的情况下，我们必须把这个时间调长。
大多数默认的K8系列芯片组为了保证稳定性和兼容性，一般把这个数值维持在2T，在内存槽插满的时候也不会出现问题。但是当你使用了大容量的单条内存时，仅仅使用了一个或两个内存插槽，就可以把这个数值更改为1T，P-Bank选择完之后1个时钟周期就可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，大大加快内存延迟，从而提高性能。例如，虽然2条1GB内存和4条512MB内存都是总容量2GB，但是前者因为占用的内存插槽少，可以使用1T首指令延迟，所以能有更好的性能表现。
进入主板BIOS的“Advanced Chipset Features”选项下的“DRAM Configuration”，在“DRAM Command Rate”或“CMD rate”设置上回车（如图6），把内存由2T在CMOS中调整到1T，这样就可以提高内存延迟了。当然并不是所有的应用程序都会从中获益，一般一些受系统内存性能影响较大的文件压缩、游戏等应用中系统性能可以提高5％左右，已经是个很可观的数字了（如图7），毕竟我们没有费吹灰之力。这个设置与主板、内存的品质也有关系，并不一定是少内存插槽占用就可以上1T，如果在1T下出现不稳定问题，还是要调整回2T的。
免费提升性能 VIA主板设置内存交错
内存交错技术就是为了尽可能避免跨bank的数据传输而产生的一种技术，它可以允许在一个Bank工作时就对其它Bank进行预充电，这样在当前Bank的工作完成以后就可以直接对下一个Bank进行操作，而不需要再等待预充电过程的几个时钟周期，节约了时间，提高了效率。目前主流的内存芯片大多都有4个逻辑Bank，所以可以直接设置成4-Bank的交错模式，也就是四路交错，此外还有两路交错，设置在“Bank Interleave”项目中进行。这种内存交错模式在VIA的SDRAM和DDR系统的主板BIOS中都存在，用户可以通过这项设置提高内存运行效能，这种技术无疑是通过降低内存延迟时间来提高性能的一种有效方法，不过在Intel和SiS芯片组的主板中不提供这种调节方式。出于对系统的稳定性考虑，很多支持该技术的主板在默认情况下都关闭了内存交错技术，或最多开启2路内存交错模式——虽然4路交错可以带来更大的性能提升。
启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。通过升级 BIOS， VIA 694X以上芯片组都有机会开启内存交错设置项，即便BIOS不支持，也可以通过WPCREdit等专用软件来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。进入BIOS后在“Frequency/Voltage Control”中找到“Bank Interleave(通道交错)”一项，这里有“Disable(禁用)、2 Bank、4 Bank”等三种模式，选择“4 Bank”来提升内存性能（如图8）。
小提示：要注意有很多早期内存条芯片是2BANK的，这时选择4路内存交错没有意义，可能还会有负面影响。一般16Mbit的芯片基本全是2BANK的，而64Mbit的芯片部分是2BANK部分是4BANK的，64Mbit以上的芯片全是4BANK的。如果因为选择了内存交错而出现问题，就不得不再将“Bank InterLeave”由“4Bank”改为“Disable”。