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共振激发量子点在非共振量子点—腔耦合结构性质的研究

时间:2022-12-12 16:10:05 来源:网友投稿

【摘 要】 提出了在非共振量子点-腔耦合结构中有一共振激发量子点的模型.采用量子主方程方法计算平均光子数、平均声子数、光子数分布和二阶相关度随时间演化,来研究该系统的量子统计和相干性质.分别讨论了光子数分布和二阶相关度随原子自发辐射率、腔场衰减率及平均声子数改变的时间演化行为.研究表明无论好腔条件下还是坏腔条件下,腔场内的光子都成亚泊松分布.好腔条件下反群聚性不明显,但在坏腔情况下表现出明显的反群聚性.该体系的声子数均没有明显的变化.

【关键词】 量子主方程;声子数;光子数分布;二阶相关度;亚泊松分布;反群聚性

0 引言

自1992年,在半导体微腔中观察到Rabi分裂以后,半导体微腔一直是人们研究的热点[1].由于量子点-腔耦合能够解释最近观察到的结果,使得量子点-腔耦合及腔场中量子点电动力学得到了更广泛的关注[1-3].在共振态下,吸收和辐射的光子频率应该是相同的.而在非共振量子点-腔耦合体系中,当量子点从外界吸收了一定量的光子能量时,电子会从基态激发到激发态,被激发后产生非平衡载流子,再通过吸收或是发射一定量的声子,从而达到一个准平衡态.在此过程中,如果是以晶格振动的形式释放能量,即有声子产生,那么就有可能得到一个较高频率的声波;反之,则可以接收一种较高频率的声波[3-4].随着量子力学、固体物理及半导体物理的发展,使得电子器件的集成度越来越高,应用范围更广[5-7].该文提出的是一个在非共振量子点-腔耦合结构中含有共振激发量子点的模型 .由于量子点具有特殊的介观性质,半导体微腔在低阈值垂直腔面发射激光器、垂直腔发光二极管器件等方面有着广泛的应用,再考虑到声波的产生和吸收向较高频率方向发展等诸多因素[8-10],所提出的理论模型有一定的使用前景.

1 物理模型和理论计算

对于某一算符A的期望值的运动方程可以带到主方程中得出.在运算过程中忽略声子算符与光子算符的相互作用,从而可以近似得到封闭的算符乘积的平均值的运动方程组.由于方程的数量多,很难求出方程的解析解,所以利用matlab采用数值计算求解方程组.

2 计算结果与分析

利用计算相关函数的方法来研究该系统的量子统计和相干性质.通过计算腔场的平均光子数来研究腔场光子的变化趋势,腔场的平均光子数n定义为:

的相关函数进行计算.计算平均光子数、平均声子数、光子数分布和二阶相关度随时间演化等来

研究该系统的量子统计和相干性质.计算结果表明:无论好腔条件下还是坏腔条件下,腔场内的平均光子数都成衰减趋势,腔内的光子数都没有经历很大的涨落,最终趋于稳定.腔场十分接近相干光场,均成亚泊松分布.并且坏腔条件下光场具有明显的反群聚特征,好腔条件下的反群聚特征没有好腔那么明显,腔场先处反群聚态,光子为非经典光,而后光子又呈现出群聚态的经典光场,且该体系的平均声子数均没有太大的变化.

参 考 文 献

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(责任编辑:李家云)

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